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材料结构组分表征目前在储能材料的常用结构组分表征中涉及到了XRD,NMR,XAS等先进的表征技术，进程间再此外目前的研究也越来越多的从非原位的表征向原位的表征进行过渡。吸收光谱可以利用吸收峰的特性进行定性的分析和简单的物质结构分析，饭局此外还可以用于物质吸收的定量分析。

在X射线吸收谱中，无新阈值之上60eV以内的低能区的谱出现强的吸收特性,称之为近边吸收结构(XANES)。Figure1.AnalysisofO-vacancydefectsonthereducedCo3O4nanosheets.(a)CoK-edgeXANESspectra,indicatingareducedelectronicstructureofreducedCo3O4.(b)PDFanalysisofpristineandreducedCo3O4nanosheets,suggestingalargevariationofinteratomicdistancesinthereducedCo3O4structure.(c)CoK-edgeEXAFSdataand(d)thecorrespondingk3-weightedFourier-transformeddataofpristineandreducedCo3O4nanosheets,demonstratingthatO-vacancieshaveledtoadefect-richstructureandloweredthelocalcoordinationnumbers.XRDXRD全称是X射线衍射，财富即通过对材料进行X射线衍射来分析其衍射图谱，财富以获得材料的结构和成分，是目前电池材料常用的结构组分表征手段。这些条件的存在帮助降低了表面能，历史使材料具有良好的稳定性。

近日，进程间再王海良课题组利用XANES等先进表征技术研究富含缺陷的单晶超薄四氧化三钴纳米片及其电化学性能（Adv.EnergyMater.2018,8,1701694）,如图一所示。Fig.2In-situXRDanalysisoftheinteractionsduringcycling.（a）XRDintensityheatmapfrom4oto8.5oofa2.4mgcm–2cellsfirstcycledischargeat54mAg–1andchargeat187.5mAg–1,wheretriangles=Li2S,square=AQ,asterisk=sulfur,andcircle=potentiallypolysulfide2θ.(b)ThecorrespondingvoltageprofileduringtheinsituXRDcyclingexperiment.材料形貌表征在材料科学的研究领域中，饭局常用的形貌表征主要包括了SEM，饭局TEM，AFM等显微镜成像技术。

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